總體而言，存儲器供應(yīng)鏈仍將以亞洲為核心，不過更廣泛的區(qū)域平衡正在逐步構(gòu)建。

  韓國或許會繼續(xù)在存儲半導體領(lǐng)域保持領(lǐng)先地位，憑借其先進的DRAM與NAND技術(shù)以及持續(xù)的大規(guī)模投入。依托現(xiàn)有的市場地位、可靠性和品質(zhì)，韓國有望維持甚至拓展其市場份額。

  中國大陸正全力以赴追求自給自足，在國家巨額補貼的支持下，建設(shè)數(shù)十條成熟節(jié)點的存儲生產(chǎn)線。國內(nèi)廠商正在提高主流DRAM節(jié)點的良品率，并加速高層數(shù)3D NAND的量產(chǎn)進程。

  日本曾在NAND閃存領(lǐng)域占據(jù)優(yōu)勢地位，但到2030年，其市場份額可能會因成本競爭力下滑而略有縮減。同時，其重點布局的游戲和電信市場并未被視為高增長領(lǐng)域，這將進一步限制其市場擴張。

  中國臺灣可能會聚焦于具備成本優(yōu)勢的中端DRAM以及特種NOR/SRAM生產(chǎn)線。由于缺乏大規(guī)模NAND產(chǎn)能，中國臺灣在NAND市場的份額預(yù)計難以實現(xiàn)大幅增長。

  美國正借助政府補貼推動本土存儲制造業(yè)發(fā)展，新建的DRAM和3D NAND超級工廠正在建設(shè)之中。預(yù)計這些產(chǎn)能將在本年代后期推動美國市場份額的提升。 


本文關(guān)鍵詞：DRAM

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